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產(chǎn)品分類
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660V半導體雷擊浪涌發(fā)生器

660V半導體雷擊浪涌發(fā)生器

 詳情說明
8/20半導體/手機配件低電壓雷擊浪涌發(fā)生器
雷擊浪涌發(fā)生器技術參數(shù)
1、 雷擊浪涌發(fā)生器介紹
雷擊浪涌發(fā)生器SOSIN 8/20專門針對防浪涌保護等半導體器件及通信產(chǎn)品而設計的防浪涌測試產(chǎn)品,產(chǎn)品符合IEC61000-4-5和GB/T17626.5及 GR-1089-CORE等相關標準要求。
2、 產(chǎn)品設計制造依據(jù)標準
l GB/T 17626.5-2008《電磁兼容試驗和測量技術 浪涌(沖擊)抗擾度試驗》

lIEC61000-4-5:Testing and measurement techniques-Surge immunity test

3、產(chǎn)品特點
●7寸彩色觸摸屏;
●支持中英文語言,方便不同用戶使用;
●內(nèi)置環(huán)境自動檢測程序;
  • 產(chǎn)品技術參數(shù)
  • 主機技術參數(shù)
  • 符合標準 GB/T 17626.5、IEC61000-4-5、GR-1089-CORE
  • 操作方式 7英寸彩色觸摸屏
  • 浪涌波形 開路電壓波:1.2±30% /50μs ±20% 
  • 短路電流波:8±30% /20 μs±20% 
  • 開路電壓 2~660V±10%
  • 短路電流 1~330A
  • 浪涌極性 正 / 負,正負交替
  • 輸出阻抗 2 Ω
  • 輸出模式 通電測試、脫電測試
  • 耦合/去耦網(wǎng)絡 內(nèi)置,8A
  • 次數(shù) 1~9999 次
  • 間隔時間 3~9999s
  • 工作電源 AC220V 50/60Hz
  • 環(huán)境溫度 15 ℃~35 ℃
  • CDN技術參數(shù)
  • 耦合浪涌電壓 5~±660V
  • 耦合電容 9uF / 18uF
  • 去耦電感 1.5mH
  • 共模電阻 10Ω
  • 容量 DC 1~300V,5A
  • 4、雷擊浪涌發(fā)生器實測波形
    1.開路1.2/50μS電壓波形 2.短路8/20μS電流波形



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